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案件記録

一种无铅、低阻、高耐压的PTC加热陶瓷及其制备方法

発明有効
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7請求項 · 2 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

王智源; 崔微微; 左真国; 濮义达

IPC分類

C04B 35/453 (2006.01)C04B 35/01 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)

本发明涉及一种PTC加热陶瓷,尤其是一种无铅、低阻、高耐压的PTC加热陶瓷及其制备方法。PTC加热陶瓷,包括主料、配料、烧结助剂,所述主料包括ZnO、NiO、TiO,所述配料包括NbO、LaO、SbO中的一种或多种,所述烧结助剂为BN。本发明提供的一种无铅、低阻、高耐压的PTC加热陶瓷通过优化配方,在现有的ZnO‑NiO‑TiO2系PTCR陶瓷材料中添加Nb2O5、La2O3、Sb2O3作为配料,对PTC加热陶瓷的性能进行提升,本发明得到的PTC加热陶瓷不含铅,且电阻值比起未添加上述配料有了明显地降低(13.65kΩ→3.36kΩ),耐压性能则在此基础上有了明显的改善。

外部リソース