用于膜的电子增强化学气相沉积的方法

一种用于沉积膜的方法包括：用至少一种氢化物前驱体、至少一种反应性背景气体和电子进行电子增强化学气相沉积以在具有正基底电压的基底上沉积膜。在实施例中，所述方法是一种用于沉积硅膜的方法，包括用至少一种Si前驱体、至少一种反应性背景气体和电子进行电子增强化学气相沉积以在具有正基底电压的基底上沉积硅膜。在该实施例中，所述至少一种Si前驱体可包括SiH，并且所述至少一种反应性背景气体可包括H。