一种暴露晶面可调节光阳极的制备方法

本发明公开了一种暴露晶面可调节光阳极的制备方法，包括以下步骤：S1、将导电基底清洗干净并进行O预处理，得到预处理后的导电基底；S2、在预处理后的导电基底上制备过渡金属硫化物纳米阵列，得到负载有过渡金属硫化物纳米阵列的导电基底，所述过渡金属硫化物为CdInS、CdS和InS中的一种或多种。本发明的制备方法制备的光阳极在晶面取向上更趋于一致，高能面降低甚至消失，低能面增加，优化后的光阳极在光电化学性能上明显提高，在1.23 V偏压下光电流密度可达2.68 mA/cm。