一种二维TbOCl单晶材料的制备方法及其在场效应晶体管中的应用

本发明公开了一种二维TbOCl单晶材料的制备方法及其在场效应晶体管中的应用。本发明将助熔剂和TbCl·7HO粉末按预设比例混合得到前驱体；将所述前驱体在温度为400‑800℃、惰性气体氛围的条件下保温，然后在自然冷却到室温，得到二维TbOCl单晶材料。本发明所制备的二维TbOCl单晶材料具有稳定性高、无毒无害、制备简单的特点；利用二维TbOCl单晶材料作为介电层对半导体MoS沟道进行调控构筑LaOCl/MoS场效应晶体管，制备的器件具备一定的优良性能。