SiC单晶、SiC基板和SiC外延晶片

本发明为SiC单晶、SiC基板和SiC外延晶片。本发明的目的是提供能够减少基面位错密度的SiC单晶。本实施方式涉及的SiC单晶，分别沿着第1直线、第2直线、第3直线、第4直线、第5直线以及第6直线测定出的晶格面均弯曲成凸形状，在分别沿着第1直线、第2直线、第3直线、第4直线、第5直线以及第6直线测定出的所述晶格面中，中心位于比沿着各个直线测定出的所述晶格面的端部靠C面侧的位置，第1直线、第2直线、第3直线、第4直线、第5直线以及第6直线分别是通过从厚度方向俯视时的中心并以中心为基准逐一倾斜30°的直线。