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案件記録
齐纳二极管的建模方法、器件模型及仿真方法
発明有効
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
王亚杰; 王正楠; 孙玉红
IPC分類
G06F 30/367 (2020.01)G06F 119/08 (2020.01)
本发明提供了一种齐纳二极管的建模方法、器件模型及仿真方法，包括：提供标准齐纳二极管的器件子模型；定义pt_jtun＝temper+T_kelvin；定义tfac_ntun＝1+t_ntun1*pt+t_ntun2*pt*pt；定义tfac_rbv＝1+t_rbv1*pt+t_rbv2*pt*pt；计算ntun_final＝ntun_eff*tfac_ntun；计算jtun_final＝jtun_eff*pt_jtun**jtun_temp；计算r1＝rbv*tfac_rbv*max(v(n,p),0)+0.1。本发明提高了齐纳二极管被击穿后的电流和反偏漏电流的仿真精度。
外部リソース