半导体装置

本申请涉及半导体装置。一种设备包含：衬底；第一区，其在所述衬底上；第二区，其在所述衬底上；至少一个第一晶体管，其包含设置在所述第一区中的第一栅极结构；至少一个第二晶体管，其包含设置在所述第二区中的第二栅极结构；三棱柱形侧壁，其在所述第二栅极结构的两侧上；以及应力膜，其覆盖在所述第一栅极结构上方而没有三棱柱形侧壁的介入。