一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法

本发明提供一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：在基底上形成电容器结构，电容器结构所在区域划分为阵列区和有源区；电容器结构至少包括沿第一方向叠摞设置的层叠结构，且层叠结构的阵列区布置有多个并列间隔排布且均沿第一方向延伸的电容管；在电容器结构的有源区形成填充图形，填充图形包括沿第一方向延伸至层叠结构内的沟槽和填充于沟槽的填充层。该工艺方法通过在电容器结构的有源区形成填充图形，以减小阵列区和有源区的图形密度差异，相应提高电容器结构经过CMP平坦化工艺后的表面平坦程度、降低边缘密度效应，进而减小对后道布线等工艺的精确度的不良影响，确保器件性能及成品良率。