电容刻蚀方法

本发明提供了一种电容刻蚀方法，涉及半导体加工技术领域，以解决电容孔刻蚀精度不高的问题。电容刻蚀方法包括：硬掩模层沉积，在基底上沉积第一硬掩模层，第一硬掩模层为钨碳基硬掩模层；光刻图案化，在第一硬掩模层上形成预设图案；硬掩模层刻蚀，图案传递至第一硬掩模层；电容器刻蚀，刻蚀基底，以形成电容孔。其可以提高对电容孔的刻蚀精度。