半导体器件及其形成方法

本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，多条第一导电线沿第一方向延伸，多条第二导电线沿第二方向延伸，且多条第一导电线与多条第二导电线异面交叉。多个存储单元沿第一方向和第二方向阵列设置，且每个存储单元位于一条第一导电线与一条第二导电线的交叉处。在第一方向相邻的两个存储单元沿第一方向具有第一距离，在第二方向相邻的两个存储单元沿第二方向具有第二距离，第一距离大于相邻两条第二导电线之间的距离，第二距离大于相邻两条第一导电线之间的距离。因此，增大了沿第一方向相邻的存储单元的距离以及沿第二方向相邻的存储单元的距离，从而减少热串扰，改善读干扰性能。