一种MIM电容器结构及制作方法

本发明提供一种MIM电容器结构及制作方法，形成预设位置的膜层后，进行超临界流体低温高压处理，能够极大程度减小膜层界面的氧空位，改善膜质粗糙度，进而减小电容器漏电流，提高电容器性能。