一种场效应晶体管的制造方法、场效应晶体管及版图结构

本申请提供一种场效应晶体管的制造方法、场效应晶体管及版图结构，该晶体管将屏蔽栅和栅极分开放置，使得屏蔽栅均匀接触源极金属，以便及时响应状态变换，避免器件在局部击穿；且在屏蔽栅顶端对氧化层进行减薄，在反向恢复时减小反向恢复电荷的注入。本发明通过调整屏蔽栅的位置、减薄屏蔽栅氧化层厚度，有效地提高器件的Eas能力，减小了晶体管的反向恢复时间，提升了其反向恢复能力，改善了可靠性。