半导体器件及其制造方法

提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：沟道层；设置在沟道层上的阻挡层；设置在阻挡层上的栅电极；源电极和漏电极，连接到沟道层并且在栅电极的相应侧上；下场分布图案，在栅电极和漏电极之间彼此间隔开；以及上场分布图案，在下场分布图案上与下场分布图案间隔开，并且连接到源电极。