二极管结构及其制备方法、半导体器件

本发明涉及一种二极管结构及其制备方法、半导体器件，包括基底、浮空栅极结构、阳极结构、阴极结构、第一电容结构和第二电容结构，浮空栅极结构、阳极结构、阴极结构、第一电容结构和第二电容结构分别在第一方向上位于基底的一侧，且沿第二方向依次设置，阳极结构、阴极结构、浮空栅极结构相互间绝缘设置，第一电容结构的第一端与阳极结构连接，第一电容结构的第二端与浮空栅极结构连接，第二电容结构的第一端与阴极结构连接，第二电容结构的第二端与浮空栅极结构连接，阳极结构与浮空栅极结构之间的距离和阴极结构与浮空栅极结构之间的距离相等，第一方向与第二方向相交。本申请的二极管结构能够提高半导体器件结构的ESD鲁棒性。