单光子雪崩二极管及其制备方法

本发明公开一种单光子雪崩二极管及其制备工艺，单光子雪崩二极管包括衬底和外延层，外延层设置于衬底的一侧的表面上，外延层远离衬底的一侧形成有第一阱区，第一阱区内形成有环形结构的第二阱区，第二阱区背离衬底的一端设置有第一重掺杂区，第一重掺杂区覆盖第二阱区的内环区域；第二阱区朝向衬底一侧的表面与第一重掺杂区和第二阱区的接触面之间的距离为第一距离，第一阱区朝向衬底一侧的表面与第一重掺杂区和第二阱区的接触面之间的距离为第二距离，第一距离小于第二距离。上述方案能够解决单光子雪崩二极管低功耗和保持较高的性能难以平衡的问题。