一种图像传感器及其制造方法

本申请提供一种图像传感器及其制造方法，方法包括：利用第一掺杂类型的第一离子对衬底进行目标厚度的掺杂，形成第一掺杂层，在第一掺杂层上形成图案化的掩模层，利用第二掺杂类型的第二离子对第一掺杂层进行掺杂，形成第二掺杂区域，被掩模层遮挡的未被第二离子掺杂的第一掺杂层的区域则为第一掺杂区域，第一掺杂区域和第二掺杂区域形成图像传感器的像素区域以及隔离区域。由此可见，本申请通过对衬底进行整个平面的掺杂形成第一掺杂层，这样通过后续利用图案化的掩模层直接进行第二离子的掺杂就可以同时形成第一掺杂区域和第二掺杂区域，节约了工艺流程，降低了工艺难度，最终提高图像传感器的成像性能。