一种发光二极管及发光装置

本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括至少包括一外延结构：外延结构至少包含依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；其中：有源层包括M个周期重复堆叠的阱层和垒层，阱层为含In的氮化物材料层；在M个阱层中至少包括N个第一阱层，M、N为正整数且M≥N≥1，每个第一阱层包括相邻的第一子阱层及第二子阱层；第一子阱层靠近第一半导体层；沿有源层的厚度方向上，第一子阱层的铟含量由第一含量升高至第二含量，第二子阱层的铟含量为第二含量。由此，本发明通过对有源层结构的优化，可以缓解垒层和高铟组分的阱层之间的晶格失配和改善载流子分布不均的现象，有利于提高有源层的辐射复合概率，从而提升内量子效率。