多波段LED外延片及其制备方法

本发明公开了一种多波段LED外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述多波段LED外延片的多量子阱发光层为交替层叠的周期性结构，每个周期均包括依次层叠的阱前保护层、第一蓝光量子阱层、青光量子阱层、第二蓝光量子阱层、阱后保护层和量子垒层；所述阱前保护层、第一蓝光量子阱层、青光量子阱层、第二蓝光量子阱层、阱后保护层均为InGaN层；每个周期中，所述青光量子阱层的In组分占比大于所述第一蓝光量子阱层的In组分占比，且大于所述第二蓝光量子阱层的In组分占比；所述第一蓝光量子阱层、青光量子阱层和第二蓝光量子阱层生长完成后，均进行N处理。实施本发明，可以得到具有高显色指数的健康全光谱白光LED光源。