磁阻式随机存取存储器及其制作方法

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)元件的方法，其主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torque,SOT)层于一基底上，然后形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于该SOT层上，形成一第一遮盖层于该MTJ旁，再形成一第二遮盖层于该第一遮盖层旁，其中该第二遮盖层顶表面低于该第一遮盖层顶表面。