一种低温超导量子电压芯片及其制备方法

本发明公开了一种低温超导量子电压芯片及其制备方法，属于电子器件技术领域，上述方法为：在衬底的表面制备第一层低温超导薄膜；随后对第一层低温超导薄膜进行光刻以及显影操作，得到含有约瑟夫森结以及微波传输线的第一量子芯片；然后按预设孔径以及预设孔距，在微波传输线所在层的非约瑟夫森结区域进行聚焦离子束打孔，得到第二量子电压芯片；最后去除第二量子电压芯片上的光刻胶，得到制备好的低温超导量子电压芯片。通过实施本发明，能够解决现有技术中，通过升温消除冻结磁通，导致芯片性能的稳定性和测试结果的准确性受到影响的问题。