一种基于通孔垂直结构的氧化物忆阻器射频开关及其制备方法

本发明公开了一种基于通孔垂直结构的氧化物忆阻器射频开关及其制备方法，射频开关以硅基晶片为载体，以金属铂作为通孔材料，以金属铝铜和金属银作为射频开关器件的电极层，以二硫化钼和氧化物（氧化锌、氧化钛、氧化铪）作为阻变材料，包括从下至上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层、铝铜层、铂通孔层、二硫化钼层、氧化物层、银层、氮化钛层、铜层。本发明在硅衬底上利用光刻工艺、CPM研磨工艺和PVD磁控溅射镀膜工艺制备射频开关，制备方法工艺简单，成本低。制备的射频开关具有优异的性能和良好的应用前景。