半导体器件及其制造方法和电子装置

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，半导体器件的制造方法包括：提供第一基底和第二基底，所述第一基底的第一表面与所述第二基底的第二表面相对设置且两者之间具有一预定间隙宽度；对所述第一基底的第一表面进行轰击，以使所产生的溅射粒子在所述第二基底的第二表面上沉积形成待键合层；将所述待键合层与所述第一基底受到轰击后的第一表面进行键合，以使所述待键合层和部分厚度的所述第一基底形成绝缘陷阱层。本发明实现了直接在键合工艺中形成绝缘陷阱层，降低了工艺复杂度和成本。