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案件記録

一种晶圆SiO背膜残胶的去除方法

発明有効
10請求項 · 1 独立
§ Ⅰ

案件概要

出願人

上海中欣晶圆半导体科技有限公司

発明者

王建华

IPC分類

H10P 70/00 (2026.01)H10P 74/20 (2026.01)

本发明公开了一种晶圆SiO₂背膜残胶的去除方法,涉及计算机技术领域,一种晶圆SiO₂背膜残胶的去除方法包括以下步骤:步骤一:残胶晶圆筛选;步骤二:清洗液制备;步骤三:残胶清洗处理;步骤四:清洗后漂洗;步骤五:干燥与良品筛选。本发明通过构建初步视觉扫描和重点区域复核的双重残胶筛选模式,搭配高分辨率工业检测相机、环形补光光源及20‑40倍光学放大镜复核,结合Class100无尘操作环境,将待处理晶圆残胶筛选准确率提升至不低于99%,有效解决了传统筛选中易出现的误判、漏判问题,从源头确保后续残胶处理对象精准,避免无效加工损耗。

外部リソース