工艺腔室清理方法及半导体工艺设备

本发明提供了工艺腔室清理方法及半导体工艺设备；其中，工艺腔室包括设置在腔室上半部的第一部件和设置在腔室下半部的第二部件；在工艺腔室清理方法中，首先采用第一工艺气体清理第一部件表面含硅元素的聚合物，然后采用第二工艺气体清理第二部件表面含硅元素的聚合物，其次在施加偏压作用下，采用第三工艺气体清理第二部件表面含碳元素的聚合物；最后采用第四工艺气体清理第一部件和第二部件表面含碳元素的聚合物。上述清理方式，通过施加偏压，增强了对第二部件表面含碳元素的聚合物的清理效果，从而提高了第二部件表面聚合物的清理效果，避免了晶圆位置偏移和晶圆遭受粒子缺陷，提高了产品的产能和良率。