通过聚焦环增强碳膜边缘厚度轮廓可调整性

公开了用于控制半导体晶圆边缘区域处的处理均匀性的方法和装置。在一些实施方案中，该方法包括沉积含碳膜。本文还提供聚焦环，包括其可实施为在晶圆边缘处对处理环境进行控制。