形成镓氮氧化物层的方法

本发明提供一种在基板上形成镓氮氧化物（GaON）层的方法，该方法包括如下步骤：喷射含镓（Ga）的源材料；通过喷射含氮的第一反应材料来形成镓氮化物层；以及向镓氮化物层上喷射含氧的第二反应材料。