用于相对于硅选择性蚀刻硅锗或硅氮化物的自由基物质的热生成

一种用于相对于至少一种第二材料蚀刻至少一种第一材料的方法，包括将衬底设置于处理室中的衬底支撑件上，以及供应载气、至少一种热蚀刻剂气体以及至少一种自由基生成气体至处理室，以相对于至少一种第二材料蚀刻至少一种第一材料。也公开了其它示例方法和系统。