晶片抛光方法

本申请公开了一种晶片抛光方法，包括以下步骤：制备粗磨抛光垫和精磨抛光垫；待抛光晶片放入磷酸溶液中浸泡活化反应界面后，测温满足抛光要求后置于加热载物盘上，超声预处理抛光液后，先进行粗磨抛光，然后进行精磨抛光，清洗得到抛光晶片。该方法能有效提高所得晶片的TTv<2μm，同时提高产品的平坦度：晶片的翘曲度(Warp) < 20 μm和弯曲度(Bow)< 8μm。