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案件記録

一种高介电常数聚丙烯电容膜及其制备方法

発明不明
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10請求項 · 2 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

王金泽; 王润霄; 庄志; 王勇军; 王锋; 丁柳馨

出願日

Aug 28, 2026

公開日

Oct 16, 2026

IPC分類

C08L 23/12 (2006.01)C08L 51/06 (2006.01)C08K 5/098 (2006.01)C08K 5/10 (2006.01)C08K 5/544 (2006.01)C08K 3/24 (2006.01)C08K 9/02 (2006.01)C08J 5/18 (2006.01)H01G 4/18 (2006.01)

本发明公开了一种高介电常数聚丙烯电容膜及其制备方法,属于高分子材料技术领域,该电容膜包括如下原料:乙酸钡、掺杂金属盐、钛酸四丁酯、聚丙烯树脂、相容剂、成核剂、抗氧剂及螯合剂、硅烷偶联剂。其制备方法包括:将乙酸钡与掺杂金属盐、钛酸四丁酯经溶胶‑凝胶法制备纳米粉,经硅烷改性后与聚丙烯树脂、相容剂、成核剂、抗氧剂混合,再经熔融挤出、流延铸片、双向拉伸、热定型及电晕处理,得到高介电常数聚丙烯电容膜。与现有技术相比,本发明显著提升了电容膜的介电常数并降低了介电损耗,同时制备工艺简洁,具有更高的工业实用价值。

外部リソース