一种温度可调控的MPCVD基片台及温场调控方法

本发明公开了一种温度可调控的MPCVD基片台及温场调控方法，该基片台包括基片台本体、分区冷却组件、边缘加热补偿组件、分区测温组件及温度反馈控制模块，分区冷却组件设置多组独立同心圆冷却管道，边缘加热补偿组件同轴内嵌于冷却组件外侧，分区测温组件实时采集多区域温度并反馈至控制模块，实现分区冷却与边缘加热的双向协同闭环控温。本发明通过分区差异化独立水冷压制基片台中心、中环高温，配合外圈环形加热补偿边缘低温，提高基片台表面温场均匀性，实现基片台表面温度的实时、精准均匀调控，可在金刚石薄膜全生长周期内动态平衡温场，有效抑制薄膜热应力、裂片及晶格缺陷，提升金刚石薄膜生长质量与成品率。