砷化镓衬底片内载流子浓度均匀性的晶体生长工艺

本发明属于半导体单晶生长技术领域，具体涉及一种砷化镓衬底片内载流子浓度均匀性的晶体生长工艺，包括下列步骤：完成原料装料、引晶及放肩工序，得到放肩后的砷化镓晶体；放肩完成后进行晶体开拉生长，开拉生长过程中逐步降低晶体下拉开拉速度，同时对单晶炉多温区进行协同控温，持续降低晶体端温区温度，持续升高熔体端温区温度；晶体开拉生长结束后，执行大幅降温工序，获得砷化镓晶棒。采用本发明工艺制备得到的长度200mm砷化镓晶棒，载流子浓度CC值波动范围由原有0.43.5缩小至0.42.3，整体全部落在客户要求的0.43.0使用区间内，减少晶棒头尾报废段，显著提升长尺寸砷化镓晶棒的有效利用率，降低单位衬底的生产成本。