一种在非金属衬底上低温直接生长六方氮化硼薄膜的方法

一种在非金属衬底上低温直接生长六方氮化硼薄膜的方法，属于材料制备领域。将非金属衬底和前驱体分别置于管式炉和加热带中心区域，预抽真空并通入氮气，将非金属衬底加热至目标温度；保持所述目标温度，将氮气切换为氧气并开启等离子体发生器，对非金属衬底进行氧等离子体预处理；关闭等离子体发生器并将氧气切换为氮气；保持衬底温度不变，加热氨硼烷前驱体并重新开启等离子体发生器，生长六方氮化硼薄膜。本发明可在常规高温下得到高质量的六方氮化硼薄膜，同时实现室温～300 ℃的低温下在多种非金属衬底表面直接生长六方氮化硼薄膜，与未经氧等离子体预处理相比，所得六方氮化硼薄膜的拉曼特征峰半高宽减小，表明薄膜结晶质量得到改善。