芯片不良分层方法及装置

本申请提供了一种芯片不良分层方法及装置，其中，该方法首先获取芯片的晶圆中测测试数据、成品终测测试数据、老化测试数据及设备工况数据；然后进行数据格式统一处理，并按照芯片制造与测试的工艺时序进行对齐，得到以芯片的唯一标识为索引的全流程数据记录；最后在芯片被判定为不良的情况下，根据全流程数据记录，分析不良参数在晶圆中测阶段、成品终测阶段及老化阶段的出现时机、不良参数在芯片物理空间上的分布特征、以及不良参数与设备工况数据之间的关联关系，以确定芯片的不良类型，其中，不良类型包括晶圆工艺不良、封装制程不良、测试工装假性不良及老化隐性不良。实现对芯片不良类型的准确分层。