一种双重曝光方法

本发明提供了一种利用固化工艺的双重曝光方法，涉及半导体制造技术领域。本方法包括提供衬底；在所述衬底上形成第一光刻图案；在所述第一光刻图案上覆盖固化剂；使用阶梯升温的方式加热所述第一光刻图案及所述固化剂，形成含有硫醚键的复合膜，用于保护所述第一光刻图案；去除多余的所述固化剂；在所述衬底上形成第二光刻图案，以所述第一光刻图案和所述第二光刻图案为掩膜对所述衬底进行刻蚀或离子注入。通过引入固化冻结工艺，在第一次光刻后即对图案进行化学交联和表面保护，大幅减少了工艺步骤和硬掩模需求。