硅柱图形修正方法、装置及设备

本申请涉及集成电路设计技术领域，公开了一种硅柱图形修正方法、装置及设备，其中，方法包括获取硅柱设计信息，硅柱设计信息包括硅柱直径；在多边形集合中查找与硅柱直径相匹配的目标多边形，其中，硅柱直径越大，目标多边形的边数越多，多边形集合中的多边形为正多边形，且每个正多边形的边数为2的幂次方；在图形数据文件中绘制目标多边形，并对目标多边形进行修正，得到掩模图形，掩模图形用于制备硅柱的掩模版，依据掩模版进行光刻，能得到蚀刻掩模，依据蚀刻掩模进行蚀刻，能得到硅柱，修正用于补偿光刻和蚀刻过程中产生的部分图形形变。本申请方法可以提高超表面的尺寸精度。