一种集成电路引线框架的键合线偏移量测量方法及系统

本发明属于图像检测技术领域，尤其涉及一种集成电路引线框架的键合线偏移量测量方法及系统，先根据键合区域图像中定位标记点的位置偏差和工艺状态数据，构建带温度先验约束的位移场，求解引线框架局部热变形，得到局部热变形分析结果，然后利用局部热变形分析结果对键合点理论设计坐标进行热变形补偿，基于补偿后坐标和键合线空间分布特征数据，计算各键合点的键合线偏移距离和偏移方向角，根据各键合点的键合线偏移距离计算综合键合质量指数，完成综合键合质量评估，为后续预警和工艺参数调整提供量化依据，可以形成从热变形分析、偏移测量到质量评估的完整链条。