一种激光器外延结构及其制备方法

本发明涉及一种激光器外延结构，包括衬底以及在衬底上依次生长的n‑GaN过渡层、n‑AlGaN下限制层、超晶格结构下波导层、下应力释放层、InGaN/GaN量子阱有源区、上应力释放层、超晶格结构上波导层、p‑AlGaN电子阻挡层、p‑AlGaN上限制层和p‑GaN接触层。本发明采用超晶格结构的波导层，超晶格波导可大幅抑制纵向光泄漏，压制高阶模起振，提升输出光斑质量与模式稳定性；通过在下波导层与量子阱之间、量子阱与上波导层之间设置应力释放层，能实现有源区压应力的可靠释放，同时配合超晶格波导层自身的微观应变补偿效应，可大幅降低量子阱区的晶格失配应力，有效削弱量子限制斯塔克效应，平整量子阱能带，提升载流子辐射复合效率，平缓整体外延应力状态，降低外延片翘曲。