一种JFET MOSFET混合半桥功率模块

本发明提供了一种JFET MOSFET混合半桥功率模块，涉及功率半导体封装技术领域，包括覆铜陶瓷基板，其图案化铜层包括正极铜区、中点铜区、上源铜区和负汇铜区。正极铜区设置多个SiC MOSFET芯片；中点铜区共同设置多个SiC JFET芯片和SiC肖特基势垒二极管芯片；上源铜区通过多个跨接键合线与中点铜区连接。中点铜区包括上承载区、下承载区及连通部，负汇铜区和下栅铜区分别延伸至两承载区之间的间隔区域。该模块有利于减少下桥臂功率连接与栅极连接的绕行和交叉，提高内部互连布局的规整性。