一种适配沟槽型肖特基芯片的自适应整流驱动调控方法及系统

本发明公开了一种适配沟槽型肖特基芯片的自适应整流驱动调控方法及系统，包括下述步骤：S1，参数预标定；S2，采样分离漏电流；S3，反推结温；S4，提取等效结电容；S5，计算关断斜率并调控；S6，计算栅极偏置电压；S7，施加自适应栅压；S8，双向闭环联动。本发明，通过温漂模型反推芯片实时结温，省去了昂贵的片上温度传感器，将器件的缺陷属性（漏电温漂特性）转化为精准的工况感知资源；且通过修正后的算法，引入栅氧厚度完成量纲修正，在高温或大电流工况下自动限制关断斜率，有效抑制沟槽拐角的电场集中与电压振铃，大幅延缓栅氧介质老化，延长器件使用寿命。