半导体结构及其制造方法、电子设备

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、电子设备。该方法包括：在衬底上交替堆叠第一绝缘层和第二绝缘层形成堆叠层；形成贯穿堆叠层的第一孔、第二孔和第一沟槽；基于第二孔横向刻蚀第一绝缘层，形成沿第一方向间隔排布的多个第一凹槽；在第一凹槽的内壁依次形成阻挡层和牺牲层；基于第二孔和第一凹槽，形成覆盖第二孔及第一凹槽内壁的初始半导体层，以及覆盖初始半导体层并填充第二孔及第一凹槽的栅极结构；基于第一孔及第一沟槽，去除牺牲层，并保留位于第一凹槽内的阻挡层，暴露出初始半导体层朝向第一孔和第一沟槽的侧壁；去除暴露的初始半导体层的侧壁，以形成半导体层。