半导体器件及其制备方法、存储器系统

本公开实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：半导体主体和栅极结构。半导体主体沿第一方向延伸。栅极结构至少在第二方向位于半导体主体的一侧，其中第二方向与第一方向相交。栅极结构包括第一导电层和第二导电层，第一导电层沿第一方向延伸，第二导电层位于第一导电层朝向半导体主体的第一侧、第一导电层背离半导体主体的第二侧、以及第一导电层在第一方向的第三侧。