半导体器件及其形成方法

本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，属于半导体技术领域，在制作选择控制结构时，第一牺牲结构用于置换为选择控制结构，所述第一牺牲层用于置换为字线导电层，通过将第一牺牲结构与部分第一牺牲层接触设置，可以将第一牺牲结构以及与第一牺牲结构接触的部分第一牺牲层一同置换为导电材料，形成选择控制结构及字线导电层，保证了选择控制结构与字线导电层之间的电学连通紧密性，同时还减少了选择控制结构与字线导电层的制作步骤，缩短了工艺流程，降低了制作成本，提升了器件的集成度与良率。