一种半导体器件及其制作方法

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，包括位于衬底内的浅沟槽隔离结构，和位于浅沟槽隔离结构内的字线结构。其中，浅沟槽隔离结构包括宽度不同的第一浅沟槽隔离结构、第二浅沟槽隔离结构和第三浅沟槽隔离结构，而位于不同浅沟槽隔离结构内的字线结构包含不同的膜层材料。如此避免了相邻字线结构之间产生寄生电容，提升了字线结构的稳定性，并最终提高了半导体器件的效能及可靠度。