半导体器件

本发明提供了一种半导体器件，复合绝缘层位于衬底上，复合绝缘层包括由下至上依次堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；第一位线结构位于复合绝缘层上，侧壁结构位于第一位线结构的侧壁上，侧壁结构对应第二绝缘层的部分包括第一凹陷，侧壁结构对应第三绝缘层的部分包括第二凹陷，第一凹陷的深度小于第二凹陷的深度。本发明中第一凹陷和第二凹陷能够扩大相邻结构底部的间距，提高存储节点接触结构的工艺窗口，从而提高半导体器件的可靠性。