検索に戻る
案件記録

半导体结构及其制造方法

発明不明
14閲覧数
20請求項 · 2 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

李育泰; 黄仲麟

出願日

Aug 4, 2026

公開日

Oct 16, 2026

IPC分類

H10B 12/00 (2023.01)

本发明关于一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含基板、位元线、位元线电容、晶体管及金属线。基板具有存储器区域及周边区域。位元线位于基板的存储器区域上方。位元线电容位于位元线上方且连接位元线。晶体管位于基板的周边区域上方。金属线位于晶体管上方。位元线的顶面高于金属线的底面。介电层位于金属线上方且接触金属线。介电层与位元线电容由相同的材料制成。本发明的方法可同时形成第一金属线与位元线,以提升半导体结构布局布线的灵活性。由于第一金属线能够与栅极结构及其相关的互连结构进行电性连接,因此可实现更灵活的布局布线设计。

外部リソース