1.5T OTP存储器及其制备方法

本发明提供一种1.5T OTP存储器及其制备方法，在不增加工艺步骤的前提下，仅需改变栅极结构掩膜版的形貌，即可将编程栅转移至STI结构上，且可使得单个编程栅的两侧分别编程，从而实现更高密度的1.5T编程，提高OTP的集成度，实现小型化高密度集成；另外，OTP的反熔丝结构利用了单侧的有源区与编程栅之间的电场，可提升编程效率与稳定性；再者，可使得反熔丝的物理位置集中分布于有源凹陷区，从而可使反熔丝击穿的区域更加收敛可控。