存储芯片及其制备方法、存储器、电子设备

本申请提供一种存储芯片及其制备方法、存储器、电子设备，涉及存储领域，提升抗微扰性能的同时，维持较低的整体操作电压。该存储芯片包括衬底、设置于衬底上的第一堆叠结构和存储单元，存储单元包括电容器和选择器。第一堆叠结构包括层叠设置的第一间隔层和第二间隔层，第一堆叠结构中开设有镂空部。电容器包括第一电极、铁电层、第二电极；第一电极位于第一间隔层与第二间隔层之间，且呈开口朝向镂空部的第一凹槽；第二电极填充在镂空部和第一凹槽中；铁电层位于第一电极与第二电极之间，第一电极和铁电层环绕第二电极一周。选择器包括第三电极和介质层；在镂空部的一侧，介质层与第一电极相接触，第三电极设置于介质层背离镂空部的一侧。