一种三维铁电存储器、半导体封装结构及电子设备

本申请公开了一种三维铁电存储器、半导体封装结构及电子设备，铁电存储技术领域，通过将多个铁电存储单元在第一方向上堆叠设置，通过堆叠铁电存储单元，提升存储容量和存储密度。通过设置复位晶体管，并将位线和板线通过复位晶体管连接，使存储结构中的铁电存储单元和复位晶体管形成梯式架构。在复位晶体管关断且选通晶体管的导通时，结合位线和板线上的电位切换，进行读写操作。在复位晶体管导通且选通晶体管导通时，铁电电容的第一电极和第二电极短接，可以将因位线和板线电位切换带来的干扰而流入铁电电容的第一电极的电荷进行释放，以减少对铁电材料的极化状态的不利影响，提高铁电电容中存储数据的稳定性。