一种半导体器件及其制造方法

一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成牺牲材料层；图形化牺牲材料层，以在牺牲材料层中形成凹槽；仅在凹槽的侧壁上形成导电层。从而便于制备出高阻值且线宽较窄的导电层，有利于缩小导电层占用的面积。