一种降低PD-SOI MOS器件高温漏电的方法

本发明公开一种降低PD‑SOI MOS器件高温漏电的方法，在PD‑SOI MOS器件的浅沟槽隔离中采用双层填充结构，浅沟槽隔离底部填充高应力材料，浅沟槽隔离顶部填充无应力或低应力材料：浅沟槽隔离底部应力层对阱区底部中性区施加横向机械应力，使中性区硅的能带结构发生畸变，增加少数载流子的散射率，等效降低少数载流子扩散系数，从而抑制高温下少数载流子向耗尽区边界的扩散漏电；浅沟槽隔离顶部填充层不向沟道区施加显著应力，保持沟道区少数载流子的高迁移率。本发明不引入额外杂质和退火工艺，与标准CMOS工艺兼容，且不影响器件开态特性。因此，本发明特别适用于降低PD‑SOI MOS器件高温漏电，提高PD‑SOI工艺的高温环境应用效果。